SiC devices
第三代半導體材料功率器件是未來高性能功率器件的重要組成部分之一。東微研發團隊在寬禁帶半導體研究上有豐富的經驗，相繼研發了并聯SiC的IGBT及寬禁帶場效應晶體管。
目前量產的并聯SiC二極管的新一代高速IGBT，大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性，適合在追求極限效率的系統中使用，支持80-100kHz的高速開關和圖騰柱無橋PFC應用。
第三代半導體材料功率器件是未來高性能功率器件的重要組成部分之一。東微研發團隊在寬禁帶半導體研究上有豐富的經驗，相繼研發了并聯SiC的IGBT及寬禁帶場效應晶體管。
目前量產的并聯SiC二極管的新一代高速IGBT，大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性，適合在追求極限效率的系統中使用，支持80-100kHz的高速開關和圖騰柱無橋PFC應用。
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